4nm FinFET工艺
4nm FinFET工艺是台积电开发的半导体制造工艺,属于其5nm制程系列的技术增强版本,旨在提供更高的性能、功耗和密度优势。与5nm工艺相比,4nm工艺在功耗上可降低45%,逻辑密度提升约6%。该工艺于2022年投入批量生产,台积电在2021年第四季度提前实现了4nm工艺的量产。联发科天玑9000是全球首款采用该工艺的芯片。台积电的4nm工艺系列包括N4、N4P、N4C等变体。其中,N4P工艺被认为是真正的4nm技术,而N4工艺被部分分析机构指出其关键工艺尺寸与早期5nm产
