4nm FinFET工艺是台积电开发的半导体制造工艺，属于其5nm制程系列的技术增强版本，旨在提供更高的性能、功耗和密度优势 。与5nm工艺相比，4nm工艺在功耗上可降低45%，逻辑密度提升约6% 。该工艺于2022年投入批量生产 ，台积电在2021年第四季度提前实现了4nm工艺的量产 。联发科天玑9000是全球首款采用该工艺的芯片 。
台积电的4nm工艺系列包括N4、N4P、N4C等变体 。其中，N4P工艺被认为是真正的4nm技术，而N4工艺被部分分析机构指出其关键工艺尺寸与早期5nm产品相同 。N4C工艺通过重新构建标准单元和SRAM、更改设计规则以及减少掩膜层数量，将芯片成本降低约8.5%，计划于2025年上线量产 。其位于美国亚利桑那州的晶圆厂已于2024年第四季度开始大批量生产4nm芯片 ，并于2026年7月下线了首批采用4nm工艺制造的NVIDIA GB300 AI GPU 。台积电的5/4nm及以下产能预计将在2026年底前保持满负荷运转，且已上调2026年所有5/4纳米及以下制程节点的代工价格 。Keysight科技公司、Synopsys公司与Ansys宣布推出面向台积电N4P RF的全新参考设计流程 。
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