SiC器件，即碳化硅功率半导体器件，是第三代宽禁带半导体的核心代表。其材料特性（高禁带宽度、高热导率、高击穿场强）使其相比传统硅基器件，能在更高温度、电压和频率下工作，具有开关损耗低、效率高、功率密度大等显著优势。主要产品包括SiC MOSFET、二极管及功率模块，广泛应用于新能源汽车电驱/OBC、光伏/储能逆变器、充电桩、工业电源及数据中心固态变压器（SST）等领域，是支撑800V高压直流配电架构和固态变压器实现的关键 ，并向消费类电源、数据中心服务器电源、超快充电桩、重卡、轨道交通、智能电网等更广泛场景渗透 。正加速对硅基IGBT等器件的替代，2024-2025年，受产能扩张及需求增速调整影响，SiC衬底及器件价格显著下降，进一步加速了替代进程 。2024年全球碳化硅功率半导体器件市场规模约26亿美元，在功率半导体中的渗透率约4.9% 。中国厂商在全产业链加速布局，2024年碳化硅衬底产能已占全球约42%，技术向8英寸衬底过渡 。国际能源生态港规划发布，将打造碳化硅功率器件研发生产创新基地 。
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