硅片制备（silicon wafer preparation）是以单晶硅棒为原料制造半导体级硅片的工艺过程，主要用于太阳能光伏和集成电路领域。其核心工序包含单晶生长、切片、倒角、研磨、化学腐蚀、抛光及质量检测。
工艺流程起始于直拉法（CZ法）或区熔法（FZ法）单晶生长，通过截断切除硅棒两端后进行外径滚磨与定位面研磨。切片采用多线切割或内圆刀片切割，硅片厚度控制在500-700微米。 倒角工艺利用砂轮去除边缘崩边以防止热应力集中，研磨工序消除表面锯痕并调节厚度。 化学腐蚀处理使用氢氟酸、硝酸的混合液去除表面损伤层和杂质，抛光采用化学机械抛光（CMP）配合二氧化硅或氧化锆抛光液实现亚微米级平整度。最终通过几何尺寸检测、热氧化层错测试及光学检测确保表面光洁度，生产环境需满足10000级洁净区标准。 国内已实现6英寸硅片50%国产化，12英寸硅片完成90-14nm制程批量供应。
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