少子寿命测试是用于测量半导体材料中少数载流子平均生存时间的检测方法，该参数是表征材料内部缺陷与杂质状况的关键指标，直接影响半导体器件及太阳能电池的性能 。其主要测试方法分为瞬态法（如光电导衰减法）与稳态法（如准稳态光电导法），其中准稳态光电导法能够在宽光强范围内对过剩载流子进行绝对测量 。
该方法广泛应用于半导体材料工艺控制、太阳能电池研发与生产监控，可灵敏检测硅片的重金属污染、陷阱效应及表面复合等缺陷情况 。
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少子寿命测试是用于测量半导体材料中少数载流子平均生存时间的检测方法，该参数是表征材料内部缺陷与杂质状况的关键指标，直接影响半导体器件及太阳能电池的性能 。其主要测试方法分为瞬态法（如光电导衰减法）与稳态法（如准稳态光电导法），其中准稳态光电导法能够在宽光强范围内对过剩载流子进行绝对测量 。
该方法广泛应用于半导体材料工艺控制、太阳能电池研发与生产监控，可灵敏检测硅片的重金属污染、陷阱效应及表面复合等缺陷情况 。
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