半导体器件及其制造方法

时间：2026-09-08 11:38:00 浏览：915次

半导体器件及其制造方法

《半导体器件及其制造方法》是三星电子株式会社于2016年10月8日申请的专利，该专利公布号为CN107068565B，专利公布日为2021年6月8日，发明人是金局泰、孙豪成、申东石、沈铉准、李周利、张星旭。

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